加熱処理方法および加熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074425
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256170
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。【解決手段】基板101の上面側からは紫外光ランプ104を用いて紫外光107が照射される。また、基板101の下面側からは赤外光ランプ108を用いて赤外光111が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜103の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。

請求項（抜粋）：

透光性を有する基板上に形成された薄膜をランプ光源を用いて加熱処理する方法において、前記薄膜の上面側からは該薄膜を構成する原子の結合手を電子励起させうる波長領域の強光が照射され、かつ、それと同時に前記薄膜の下面側からは前記結合手を振動励起させうる波長領域の強光が照射されることを特徴とする加熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/26 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/26 F , H01L 21/20 , H01L 21/26 G , H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (18件)

特開平1-200615
多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066010 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199982 出願人：三洋電機株式会社

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