特許
J-GLOBAL ID:200903095891178677

アレイ基板の製造方法及び有機EL表示装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-034810
公開番号(公開出願番号):特開2006-221982
出願日: 2005年02月10日
公開日(公表日): 2006年08月24日
要約:
【課題】滅点の画素の効率的な良点化が可能となり、安定した製品の製造が可能なアレイ基板の製造方法及び有機EL表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 陰極及び陽極間に存在するとともにこれら陰極及び陽極の短絡に寄与する異物のサイズを測定し、異物のサイズに基づいてその異物に照射するレーザの波長及び照射回数を設定し、上記設定されたレーザを異物に照射し、異物の少なくとも一部を除去する。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に配置され、第1電極、前記第1電極に対向した第2電極、並びに前記第1電極及び第2電極間に狭持された遮蔽層をそれぞれ有した複数の素子と、を備えたアレイ基板の製造方法において、 前記第1電極及び第2電極間に存在するとともにこれら第1電極及び第2電極の短絡に寄与する異物のサイズを測定し、 前記異物のサイズに基づいて前記異物に照射するレーザの波長及び照射回数を設定し、 前記設定されたレーザを前記異物に照射し、前記異物の少なくとも一部を除去することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (2件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (4件):
3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00
引用特許:
出願人引用 (1件)

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