特許

J-GLOBAL ID：200903095908852067

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 水野 謙和 ,  稲垣 智義
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-236669
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051533
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 クリーニング工程後の擦過傷、パーティクルの発生を防止する。【解決手段】 CVD装置は、複数枚のウエハ24をボート25で保持して収容する処理室14、ウエハに所望の膜を形成させる成膜ガスを処理室14へ供給する成膜ガス供給管20、処理室14へNF3 ガスを供給するクリーニングガス供給管21、処理室14へコーティング膜38としてのBTBAS-窒化膜を形成するためのBTBASガス37と酸素ガス36を供給するコーティングガス供給管22A、22Bを備えている。クリーニング工程後のコーティング工程で被着させたコーティング膜38によりウエハ24と保持溝29との間の摩擦を低減させることでクリーニング工程後の擦過傷、パーティクルの発生を防止できる。【効果】 クリーニング工程後の擦過傷、パーティクルの発生を防止することにより、CVD装置ひいてはICの製造方法の歩留りを高めることができる。

請求項（抜粋）：

処理室において基板上に薄膜を形成する成膜工程と、前記処理室に空の基板保持体を収容した状態でクリーニングガスを供給し前記成膜工程によって堆積した膜を除去するクリーニング工程と、このクリーニング工程後に前記処理室に空の基板保持体を収容した状態で少なくとも前記基板保持体の基板保持部に対して成膜するコーティング工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/68 N ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 B

Fターム (37件)：

4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA08 ,  4K030LA15 ,  5F031CA01 ,  5F031CA02 ,  5F031CA04 ,  5F031CA05 ,  5F031CA07 ,  5F031HA62 ,  5F031HA63 ,  5F031MA28 ,  5F031PA24 ,  5F031PA26 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE14 ,  5F045EK06 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• チャッキングの再現性を向上するための技術的手段
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081767   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開平2-240267