特許

J-GLOBAL ID：200903095916952569

半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子

発明者： 杉本 康宜 ,  清久 裕之 ,  落合 真尚
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241388
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060298
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 出射側端面の劣化を少なくして寿命を長くする。【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、窒化ガリウム系化合物半導体層からなる複数の層を積層している発光素子の少なくとも活性層107を含む発光領域層115を切断して、光の出射側端面を設けるように、へき開面に延長して切断溝170を設ける溝加工工程と、溝加工工程で設けた切断溝170の内部に、出射側端面から出射される光の波長λ(nm)に対して、1240/λよりも大きいバンドギャップ(Eg)を有する窒化物半導体からなる単結晶層180を結晶成長させる成長工程と、切断溝170に沿ってへき開して光導波層の出射側端面をへき開端面181とする単結晶層180で被覆するへき開工程とからなる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体層からなる複数の層を積層している発光素子の少なくとも活性層(107)を含む発光領域層(115)を切断して、光の出射側端面を設けるように、へき開面に延長して切断溝(170)を設ける溝加工工程と、溝加工工程で設けた切断溝(170)の内部に、出射側端面から出射される光の波長λ(nm)に対して、1240/λよりも大きいバンドギャップ(Eg)を有する窒化物半導体からなる単結晶層(180)を結晶成長させる成長工程と、切断溝(170)に沿ってへき開して光導波層の出射側端面をへき開端面(181)とする単結晶層(180)で被覆するへき開工程とからなる半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/343 610

FI (2件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/343 610

Fターム (14件)：

5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レ-ザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-369471   出願人：株式会社東芝
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-123674   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭63-316495
  
• 特開昭53-008092