特許
J-GLOBAL ID：200903095918613818
強誘電体薄膜の製造方法、電子デバイス、および絶縁体用液体原料
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053071
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 低温で、結晶性の良い強誘電体薄膜を作製することができる方法を提供する。【解決手段】 強誘電体結晶の超微粉末2を絶縁体用液体原料に混合し、これを基板1上にスピンコートで塗布し、次に、450°Cで焼成して、さらに650°Cで焼成し、基板1上に強誘電体薄膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
金属元素と有機物とが結合した物質を有機溶媒中に加えた絶縁体用液体原料に、強誘電体結晶の超微粉末を混合し、この混合液を基板上に塗布し、上記液体原料中の有機物を分解蒸発させて、上記基板上に強誘電体薄膜を成膜することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
Fターム (4件)：
5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BF46
, 5F058BH01
