特許
J-GLOBAL ID:200903095924663452
ビームホモジナイザ及び半導体薄膜作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-146795
公開番号(公開出願番号):特開平10-333077
出願日: 1997年06月04日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】 ビーム照射位置の変動の少ないビームホモジナイザ、及びそれを用いた半導体薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 平行光線束が入射すると、入射した光線束の光軸に垂直な断面内における光強度分布を均一に近づけるホモジナイズ光学系を有する。ホモジナイズ光学系の入射側に、光線束の角倍率を変換し、該光線束の光軸を含む少なくとも1つの仮想平面内に関する角倍率が1未満である角倍率変換光学系が配置される。
請求項(抜粋):
平行光線束が入射すると、入射した光線束の光軸に垂直な断面内における光強度分布を均一に近づけるホモジナイズ光学系と、前記ホモジナイズ光学系の入射側に配置され、光線束の角倍率を変換し、該光線束の光軸を含む少なくとも1つの仮想平面内に関する角倍率が1未満である角倍率変換光学系とを有するビームホモジナイザ。
IPC (3件):
G02B 27/00
, G02B 3/06
, H01L 21/268
FI (3件):
G02B 27/00 V
, G02B 3/06
, H01L 21/268 J
引用特許:
審査官引用 (2件)
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レーザビームから鮮鋭な照射線を生成する光学装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-153452
出願人:ミクロラス・レーザーシステム・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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照明光学系
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-199318
出願人:松下電器産業株式会社
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