特許

J-GLOBAL ID：200903095926952362

半導体ウェハーの温度測定方法及びその装置

発明者： 秋葉 直樹 ,  鈴木 哲夫
出願人/特許権者： 日本ケミコン株式会社 ,  株式会社デジタルネットワーク
代理人 (1件)： 畝本 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-394244
公開番号（公開出願番号）：特開2005-156314
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 チャンバ内で処理される半導体ウェハーの温度測定に関し、半導体ウェハーの温度の直接測定を可能にし、温度条件を常時監視に用いることができる温度測定方法及びその装置を提供する。【解決手段】 チャンバ(18)内で処理される半導体ウェハー(4)の温度測定装置であって、前記チャンバ内の半導体ウェハーの温度を検出し、その検出温度を光(光パルス信号10)に変換して前記チャンバ外に伝送する温度検出手段(温度検出ユニット6)と、この温度検出手段が発光した光を前記チャンバ外で受光し、その光から前記検出温度を取り出す処理手段(受光ユニット8)とを備える。前記半導体ウェハーの温度を検出する処理と、前記半導体ウェハーの検出温度を光に変換して伝送させる処理と、前記光を受光し、その光から前記検出温度を取り出す処理とを実行する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チャンバ内で処理される半導体ウェハーの温度測定方法であって、 前記半導体ウェハーの温度を検出する処理と、 前記半導体ウェハーの検出温度を光に変換して伝送させる処理と、 前記光を受光し、その光から前記検出温度を取り出す処理と、 を含むことを特徴とする半導体ウェハーの温度測定方法。

IPC (4件)：

G01K1/14 ,  G01K1/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

FI (4件)：

G01K1/14 L ,  G01K1/02 L ,  H01L21/02 Z ,  H01L21/66 T

Fターム (11件)：

2F056AE03 ,  2F056AE05 ,  2F056AE07 ,  2F056CL07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA31 ,  4M106DH02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH14 ,  4M106DH31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 温度検出素子を有するウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036546   出願人：坂口電熱株式会社