高純度シリコンの被覆方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060943
出願日： 2000年08月22日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】太陽電池などに用いる高純度シリコン被覆球を容易に、高い生産効率で製造する。【解決手段】反応チャンバー122内を減圧して四フッ化珪素を含む水素雰囲気中でコイル121からの電力投入によりプラズマ領域125を生成し、反応チャンバー122の回転によってチャンバー122内に投入した球状セラミック、球状金属等126を堰123により掬い上げて該プラズマ領域125中を自由落下127させて、生成した高純度シリコンを該被覆対象物である球状セラミック球状金属等126の表面に被覆・堆積させる。

請求項（抜粋）：

四フッ化珪素(SiF4)および/又はシラン(SiH4)を含む水素(H2)雰囲気中でプラズマを発生させ、該プラズマ中で四フッ化珪素および/又はシランを分解すると共に、被覆対象物を該プラズマ中を繰返し経由させて四フッ化珪素および/又はシランの分解によって生成したシリコンを前記被覆対象物の表面に堆積させることを特徴とする高純度シリコンの被覆方法。

IPC (3件)：

C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 31/04 X

Fターム (22件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030CA05 , 4K030CA18 , 4K030FA01 , 4K030GA08 , 4K030KA02 , 4K030KA05 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045DP25 , 5F045DP27 , 5F045EM10 , 5F051AA03 , 5F051BA14 , 5F051CB12 , 5F051CB29 , 5F051DA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-252778
特開昭58-136701
特開昭60-116782

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