特許

J-GLOBAL ID：200903095944418527

半導体装置の樹脂封止方法

発明者： 小池 昌弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139397
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332035
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 樹脂封止時のインナーリードの変形を防止する。【解決手段】 低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを行って半導体装置を樹脂封止する。低圧型締め処理は、金型内に、リードフレームに搭載された半導体チップをセットしたのち、金型1を相対的に低い圧力で型締めを行う処理であり、金型内への樹脂の射出の開始から、少なくとも全インナーリードの先端が射出樹脂に包含されるまで継続する。高圧型締め処理は、少なくとも全インナーリードの先端がモールド樹脂に包含された後、相対的に低圧型締めよりも高い圧力で金型を型締めする処理であり、低圧型締め処理に引き続き樹脂の射出並びに射出樹脂のキュアが完了して脱型するまで継続する。

請求項（抜粋）：

低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを行って半導体装置を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法であって、低圧型締め処理は、金型内に、リードフレームに搭載された半導体チップをセットしたのち、金型を相対的に低い圧力で型締めを行う処理であり、金型内への樹脂の射出の開始から、少なくとも全インナーリードの先端が射出樹脂に包含されるまで継続し、高圧型締め処理は、少なくとも全インナーリードの先端がモールド樹脂に包含された後、相対的に低圧型締めよりも高い圧力で金型を型締めする処理であり、低圧型締め処理に引き続き樹脂の射出並びに射出樹脂のキュアが完了して脱型するまで継続することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。

Fターム (4件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349407   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭61-117843
  
• 特開平3-148840
  
• 特開平2-187041