特許

J-GLOBAL ID：200903095947967602

薄膜ガスセンサ

発明者： 小林 光男 ,  国原 健二 ,  鈴木 卓弥 ,  松原 健
出願人/特許権者： 富士電機機器制御株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335822
公開番号（公開出願番号）：特開2005-098947
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】CH4およびH2に対する選択性が高く、感度の高い薄膜ガスセンサを提供する。 【解決手段】シリコンからなる基台1により外周部または両端部が支持されたダイヤフラム様の支持膜上に、薄膜のヒーター3が形成され、この薄膜のヒーターは電気絶縁膜4により被覆され、その上に電極5を備えたガス感知膜6が形成され、ガス感知膜を覆うように選択燃焼層7が形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知膜を、ドナーとなる+5価あるいは+6価の元素が添加されたSnO2からなる第1層、触媒が添加されたSnO2からなる第2層、および島状の触媒からなる第3層からなるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)からなる基台により外周部または両端部が支持されたダイヤフラム様の支持膜上に、薄膜のヒーターが形成され、この薄膜のヒーターは電気絶縁膜により被覆され、その上に電極を備えたガス感知膜が形成され、ガス感知膜を覆うように選択燃焼層が形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知膜は、ドナーとなる+5価あるいは+6価の元素が添加されたSnO2からなる第1層、触媒が添加されたSnO2からなる第2層、および島状の触媒からなる第3層からなることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N27/12

FI (2件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C

Fターム (37件)：

2G046AA05 ,  2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BD03 ,  2G046BD05 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046BF01 ,  2G046BJ06 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DC13 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EB02 ,  2G046EB06 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE24 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-105840   出願人：大阪瓦斯株式会社