特許
J-GLOBAL ID:200903095950209441

オキシムの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-364071
公開番号(公開出願番号):特開2006-169168
出願日: 2004年12月16日
公開日(公表日): 2006年06月29日
要約:
【課題】優れた性能を有し、コスト的にも有利に調製しうる触媒を用いて、ケトンのアンモキシム化反応を行うことにより、高収率で安価にオキシムを製造しうる方法を提供する。【解決手段】格子面間隔表示で下記の位置にピークを有するX線回折パターンを示すチタノシリケートの存在下に、ケトンを過酸化物及びアンモニアによりアンモキシム化反応させる。格子面間隔d(Å): 13.2±0.6、 12.3±0.3、 11.0±0.3、 9.0±0.3、 6.8±0.3、 3.9±0.2、 3.5±0.1、 3.4±0.1。【選択図】なし
請求項(抜粋):
格子面間隔表示で下記の位置にピークを有するX線回折パターンを示すチタノシリケートの存在下に、ケトンを過酸化物及びアンモニアによりアンモキシム化反応させることを特徴とするオキシムの製造方法。 格子面間隔d(Å): 13.2±0.6、 12.3±0.3、 11.0±0.3、 9.0±0.3、 6.8±0.3、 3.9±0.2、 3.5±0.1、 3.4±0.1。
IPC (4件):
C07C 249/04 ,  B01J 29/89 ,  C01B 39/00 ,  C07C 251/44
FI (4件):
C07C249/04 ,  B01J29/89 Z ,  C01B39/00 ,  C07C251/44
Fターム (69件):
4G069AA06 ,  4G069AA08 ,  4G069BA15A ,  4G069BA15B ,  4G069BB06A ,  4G069BB06B ,  4G069BC50A ,  4G069BC50B ,  4G069BD05A ,  4G069BD05B ,  4G069CB53 ,  4G069DA08 ,  4G069EA01Y ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069EC25 ,  4G069FA01 ,  4G069FB06 ,  4G069FB09 ,  4G069FB10 ,  4G069FC08 ,  4G073BA20 ,  4G073BA63 ,  4G073BD21 ,  4G073CD01 ,  4G073FA11 ,  4G073FA12 ,  4G073FB12 ,  4G073FB42 ,  4G073FC04 ,  4G073FC13 ,  4G073GA03 ,  4G073GB03 ,  4G073UA01 ,  4G073UB38 ,  4G169AA06 ,  4G169AA08 ,  4G169BA15A ,  4G169BA15B ,  4G169BB06A ,  4G169BB06B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169CB53 ,  4G169DA08 ,  4G169EA01Y ,  4G169EC22X ,  4G169EC22Y ,  4G169EC25 ,  4G169FA01 ,  4G169FB06 ,  4G169FB09 ,  4G169FB10 ,  4G169FC08 ,  4H006AA02 ,  4H006AC59 ,  4H006BA10 ,  4H006BA30 ,  4H006BA33 ,  4H006BA81 ,  4H006BA85 ,  4H006BE14 ,  4H006BE32 ,  4H039CA99 ,  4H039CC60 ,  4H039CD40 ,  4H039CG10
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開昭62-59256号公報
  • 国際公開第03/074421号パンフレット
審査官引用 (5件)
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