半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274157
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】トレンチのコーナー部を滑らかな形状として、結晶欠陥の発生を防止可能な半導体装置を提供する。【構成】半導体基板1に形成されているトレンチ2は、その半導体基板1の表面近傍部が基板表面に向かって拡大するテーパ形状のV字溝17となっており、このV字溝17の底部から半導体基板1の垂直方向に向かって更に溝が伸びてトレンチ下部18が構成されている。V字溝17は、半導体基板1をアルカリエッチングすることによって形成されている。トレンチ下部18はV字溝17形成後にRIEによって形成する。そして、トレンチ底辺部19はV字溝17の底部のV字形状を反映して丸みを帯びたラウンド形状となっている。このため、トレンチ2のコーナー部E及びトレンチ底辺部19にて、酸化処理等に際して発生する応力の集中が緩和され結晶欠陥の発生が防止されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトレンチが設けられている半導体装置であって、前記トレンチは、その基板表面近傍部が、表面に向けて拡大するテーパ状に形成され、トレンチ底辺部がまるみを帯びたラウンド状に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/76 V , H01L 21/76 D , H01L 27/04 C , H01L 27/10 625 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭63-234534
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235851 出願人：富士通株式会社
特開昭63-115348

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審査官引用 (7件)

特開昭63-234534
特開昭63-234534
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235851 出願人：富士通株式会社

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