特許
J-GLOBAL ID:200903095961533992

半導体装置の製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河村 洌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-224700
公開番号(公開出願番号):特開平11-067672
出願日: 1997年08月21日
公開日(公表日): 1999年03月09日
要約:
【要約】【課題】 エピタキシャル成長中の基板の温度を正確に測定して、均一な結晶層でエピタキシャル成長をすることができる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】 反応装置内で基板2をプラッター1上に載置し、前記プラッターを加熱して、放射温度計4により前記プラッターの温度を測定しながら反応ガスを反応させて前記基板表面に半導体層をエピタキシャル成長する半導体装置の製法であって、前記プラッターの少なくとも1か所に前記放射温度計により測定する波長の電磁波を透過し、かつ、表面に凹凸を有するモニター用基板5を載置し、該モニター用基板の下側の前記プラッターからの熱輻射により温度を測定しながらエピタキシャル成長をする。
請求項(抜粋):
反応装置内で基板をプラッター上に載置し、前記プラッターを加熱して、放射温度計により前記プラッターの温度を測定しながら反応ガスを反応させて前記基板表面に半導体層をエピタキシャル成長する半導体装置の製法であって、前記プラッターの少なくとも1か所に前記放射温度計により測定する波長の電磁波を透過し、かつ、表面に凹凸を有するモニター用基板を載置し、該モニター用基板の下側の前記プラッターからの熱輻射により温度を測定しながらエピタキシャル成長をする半導体装置の製法。
IPC (3件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66
FI (3件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭52-127065
  • 特開昭52-127065
  • 基板の温度測定装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-026342   出願人:ソニー株式会社

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