特許
J-GLOBAL ID:200903099923943023
基板の温度測定装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-026342
公開番号(公開出願番号):特開平9-218104
出願日: 1996年02月14日
公開日(公表日): 1997年08月19日
要約:
【要約】【課題】 ノイズの影響を受けることなく処理中の基板の温度を正確に測定すること。【解決手段】 本発明は、処理室Aの内部に配置された基板10の温度を測定する基板10の温度測定装置1であり、基板10の所定部分における寸法を計測するため主として発光部2aおよび受光部2bとから成る寸法計測手段と、この寸法計測手段による測定結果に基づいて基板10の温度を算出する計算部3とを備えている。
請求項(抜粋):
処理室の内部に配置された基板の温度を測定する装置であって、前記基板の所定部分における寸法を計測する寸法計測手段と、前記寸法計測手段による測定結果に基づいて前記基板の温度を求める計算手段とを備えていることを特徴とする基板の温度測定装置。
IPC (5件):
G01K 5/52
, G01K 13/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/66
FI (5件):
G01K 5/52
, G01K 13/00
, H01L 21/205
, H01L 21/66 T
, H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (8件)
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半導体集積回路製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-020068
出願人:新日本製鐵株式会社
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半導体ウェハの温度測定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-164059
出願人:新日本製鐵株式会社
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基板温度の測定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-048141
出願人:富士通株式会社
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半導体ウェハの膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-075626
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭61-270840
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特表平7-505744
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較正用ゲージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-299531
出願人:株式会社ミツトヨ
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特開昭57-203904
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