特許

J-GLOBAL ID：200903095962374057

パルスバイアス電源装置

発明者： 中原 淳 ,  木村 静秋 ,  木村 克久 ,  渡辺 克哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立笠戸エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064971
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298303
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高周波で矩形波状(パルス状)の異なる+電圧、電流とー電圧、電流を交互に出力してバイアス電位を平準化し制御する。又、パルス周期及び+、ー入力電圧を可変して出力電圧を制御する。上記の結果エッチング時のバイアス電位が制御出来、エッチング性能の向上及びエッチングウィンドーを広げる。【解決手段】MOS FETがOFFしているときはー側の回路からー電流を負荷へ出力し、MOS FETがONすると+側パワー供給用コンデンサに充電された+電流を矩形波状に出力する。MOS FETを高周波で駆動(ON/OFF)することにより+、ーのパルスを0.5MHz〜5MHzで出力する様に構成する。

請求項（抜粋）：

直流の+、ー電源供給を入力とし、負荷側にー電流を常時出力し、+側回路に設けたパワーMOS FET(電界効果トランジスタ)のスイッチング回路ONにより+電流を出力するように構成し、ー電流出力中に+電流をパルス信号発生装置の信号により0.5MHz〜5MHzの高周波でON/OFFさせ、ーと+電流を矩形波状に交互出力させることを特徴とするパルスバイアス電源装置。

IPC (4件)：

H03K 3/53 ,  H02M 3/155 ,  H02M 9/02 ,  H05H 1/00

FI (4件)：

H03K 3/53 Z ,  H02M 3/155 Z ,  H02M 9/02 ,  H05H 1/00 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-057250   出願人：株式会社東芝