特許
J-GLOBAL ID：200903095978681740

膜パターン形成方法、回路素子、電気光学装置、および電子機器

発明者：
瀧口 宏志

瀧口 宏志 について

, 
青木 敬

青木 敬 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341280
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109184
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 基板表面に、液体材料が不必要に濡れ拡がるのを防ぐことができる撥液性を与えつつ、形成された膜パターンの基板に対する密着性が高い膜パターン形成方法を提供すること。 【解決手段】 基板表面に膜パターンを形成する方法であって、撥液性化合物と、前記基板表面に該撥液性化合物より高い表面自由エネルギーを与える撥液性調節化合物とを含む溶液中に前記基板を浸漬し、表面に自己組織化膜を形成させる工程と、自己組織化膜が形成された基板表面に、液体材料を供与する工程と、を含む膜パターン形成方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板表面に膜パターンを形成する方法であって、 撥液性化合物と、前記基板表面に該撥液性化合物より高い表面自由エネルギーを与える撥液性調節化合物と、を含む溶液中に前記基板を浸漬し、表面に自己組織化膜を形成させる工程と、 前記自己組織化膜が形成された前記基板表面に、液体材料を供与する工程と、 を含む膜パターン形成方法。
IPC (6件)：
H05K3/10 ,  G03F7/11 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (6件)：
H05K3/10 D ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 B
Fターム (79件)：
2H025AA14 ,  2H025AB14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA35 ,  2H025DA40 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4D075AB03 ,  4D075AB36 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AE03 ,  4D075CA22 ,  4D075CA23 ,  4D075CA36 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DB48 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EB16 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4D075EB56 ,  4D075EC07 ,  4D075EC10 ,  4D075EC45 ,  4D075EC54 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD90 ,  4M104HH08 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA22 ,  5E343AA26 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB77 ,  5E343DD12 ,  5E343EE24 ,  5E343EE36 ,  5E343FF05 ,  5E343GG02 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (2件)

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