特許
J-GLOBAL ID:200903095982574958
パワー回路
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
春日 讓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-362196
公開番号(公開出願番号):特開2002-164484
出願日: 2000年11月29日
公開日(公表日): 2002年06月07日
要約:
【要約】【課題】回路に寄生するリアクタンス成分を抑制することにより、過電圧保護回路を不要とし、かつ、対熱サイクル性を向上して、信頼性が向上したパワー回路を提供することにある。【解決手段】パワー回路配線の母線50,51,52,53,54は、積層構造の複数の平板導体から構成されている。平型チップからなる半導体素子14は、平板導体状の半導体素子接続部58で挟み、金属フィラーと樹脂から成る高伝熱性導電接着剤67を用いて接合し、半導体素子接続部58と母線50,51,52,53,54を平板状導体の積層配線57により接続した。
請求項(抜粋):
電源と、この電源から供給される電力を半導体素子に供給するパワー回路配線とを有するパワー回路において、上記パワー回路配線の母線は、積層構造の複数の平板導体から構成され、平型チップからなる上記半導体素子を平板導体状の半導体素子接続部で挟み、金属フィラーと樹脂から成る高伝熱性導電接着剤を用いて接合し、上記半導体素子接続部と上記母線を平板状導体の積層配線により接続したことを特徴とするパワー回路。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/40 F
, H01L 23/36 M
Fターム (5件):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB05
, 5F036BC05
, 5F036BD21
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特開昭63-048160
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-134809
出願人:株式会社デンソー
審査官引用 (5件)
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特開昭63-048160
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-134809
出願人:株式会社デンソー
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特開昭63-048160
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