特許
J-GLOBAL ID：200903095999040876
バンプ形成方法とその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034025
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236527
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の複数の素子電極上に1回の一連の動作で同時にバンプを形成し、且つ、レベリング処理が不要なバンプ形成方法の提供。【構成】 バンプを形成する導電性材料により導電性材料ボール9を形成し、導電性材料ボール9を、バンプを形成すべき半導体素子の各素子電極に対応する位置に配されたボール保持具11、11aを有する導電性材料ボール移送手段1により、バンプを形成すべき半導体素子3上に移送し、ボール保持具11、11aに保持されている導電性材料ボール9を素子電極12上に位置決めし、前記位置決め状態で、加温と衝撃力と押圧力と超音波振動との2つ以上の組合せによって導電性材料ボール9を素子電極12に接合してバンプを形成する。
請求項（抜粋）：
形成すべきバンプの大きさに合わせた大きさの導電性材料ボールをバンプを形成すべき電極との接合性が良い導電性材料により形成し、前記導電性材料ボールを導電性材料ボール供給部に層状に配列し、前記の配列された導電性材料ボール層から、バンプを形成すべき半導体素子の各素子電極に対応する位置に配されたボール保持具を有する導電性材料ボール移送手段により、前記導電性材料ボールを前記ボール保持具に取り出し保持してバンプを形成すべき半導体素子上に移送し、前記ボール保持具に保持されている前記導電性材料ボールを前記のバンプを形成すべき半導体素子の素子電極上に位置決めし、前記位置決め状態で、加温と衝撃力と押圧力と超音波振動との2つ以上の組合せによって前記導電性材料ボールを前記素子電極に接合してバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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