特許
J-GLOBAL ID：200903096010327019
強誘電体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089840
公開番号（公開出願番号）：特開2003-288783
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 多値の記憶を保持することができる強誘電体メモリを、従来技術による回路をほとんど変更することなく提供すること。【解決手段】 記憶する値によって、書き込みパルスを印加する時間を変えることにより、多値記憶を行う。書き込みパルス用の電圧としては1つだけ準備すればよく、リセットあるいは読み出しパルス用の電圧を書き込みパルスの電圧と同じにすれば、1つの電圧源のみで多値記憶機能を持つ強誘電体メモリを提供することができる。
請求項（抜粋）：
ひとつのメモリセルに3値以上の多値記憶を行うことを特徴とする強誘電体メモリであり、前述の多値記憶が、書き込みパルスを印加する時間の違いにより行われることを特徴とする、強誘電体メモリ。
引用特許：
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