特許

J-GLOBAL ID：200903096013271669

半導体ナノ粒子及びその製造方法

発明者： 桑畑 進 ,  鳥本 司
出願人/特許権者： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-210902
公開番号（公開出願番号）：特開2003-025299
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】 任意の粒径の半導体ナノ粒子を製造する。【解決手段】 光エッチング法を用いることにより一定の粒径の半導体ナノ粒子を得る。

請求項（抜粋）：

半導体ナノ粒子の製造方法において、半導体ナノ粒子懸濁液に安定化剤の添加とともに単色光を照射して光エッチングにより粒径を揃える工程を含むことを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。

IPC (5件)：

B82B 3/00 ,  C01G 11/02 ,  C09K 11/08 ,  G03F 7/00 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

B82B 3/00 ,  C01G 11/02 ,  C09K 11/08 A ,  G03F 7/00 ,  H01L 33/00 A

Fターム (30件)：

2H096AA25 ,  2H096BA13 ,  2H096EA02 ,  4G047BA02 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD03 ,  4H001CA02 ,  4H001CF01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52 ,  4H001XA74 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77