双極子照明に使用するモデルベースのレイアウト変換を実施するための方法および装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 吉田裕 , 岩本行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417291
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177968
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】レイアウトの交換工程を簡略化し、より簡単な設計方法を可能にする。【解決手段】第1ステップ(ステップ32)は、横のマスクを画定するために、モデルベースOPCを用いてターゲット・パターンの縦のエッジにシールドを施すこと、ならびに縦のマスクを画定するためにターゲット・パターンの横のエッジにシールドを施す。結像システムの結像性能(すなわち結像ツール、結像条件、レジスト、レジスト処理など)を決めるシステム疑似強度関数として表されたOPCモデルが作成される。次のステップ(ステップ34)は、横および縦のマスクにサブ解像度のスキャッタリング・バーまたはアシスト・フィーチャを施す。第3および最後のステップ(ステップ36)は、横および縦の両方のマスクに対して、クリティカルで高い変調方向に沿ったファイン・バイアスを施す。ファイン・バイアス・ステップが実施されれば、横および縦のマスクを作成する工程が完了し、マスクを用いてウェハを結像させることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

多重露光リソグラフィの結像工程で使用する相補的な複数のマスクの作成方法であって、複数のフィーチャを有するターゲット・パターンを識別するステップであって、該複数のフィーチャが横方向および縦方向のエッジを有しているステップと、前記ターゲット・パターンに基づいて横方向のマスクを作成するステップと、前記ターゲット・パターンに基づいて縦方向のマスクを作成するステップと、シールド・ステップを実施するステップであって、前記ターゲット・パターンの複数のフィーチャの縦方向のエッジの少なくとも1つを、横方向のマスクにおいてシールドに置換し、ターゲット・パターンの複数のフィーチャの横方向のエッジの少なくとも1つを、縦方向のマスクにおいてシールドに置換し、前記シールドは前記ターゲット・パターンにおける対応するフィーチャの幅よりも大きい幅を有しているステップとを含む相補的マスクの作成方法。

IPC (2件)：

G03F1/08 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F1/08 D , G03F1/08 A , H01L21/30 502C , H01L21/30 502P

Fターム (9件)：

2H095BA05 , 2H095BB01 , 2H095BB02 , 2H095BB36 , 5F046AA13 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046CB05 , 5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (1件)

パターンの光強度計算方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-022323 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (6件)

Dipole Decomposition Mask-design for Full Chip Implementation at the 100nm 以下備考
Model Assisted Double Dipole Decomposition
Dipole Decomposition Mask-design for Full Chip Implementation at the 100nm Technology Node and Beyon

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