特許
J-GLOBAL ID：200903096066261509
単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264777
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：
【要約】【課題】 石英ルツボから発生したSiOガスと黒鉛ルツボとの反応が抑制されることにより黒鉛ルツボの寿命が延びてランニングコストが低減する上に、単結晶化率も向上する単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置を提供することをである。【解決手段】 半導体融液を貯留する石英ルツボ11を支持するための単結晶引上装置用黒鉛ルツボ31において、前記黒鉛ルツボ31が、半径方向の分割線に沿って分割された複数の分割部材33a、33b、33cと該分割部材33a、33b、33cの半径方向外方への変位を規制する変位規制部材32とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体融液を貯留する石英ルツボを支持するための単結晶引上装置用黒鉛ルツボにおいて、前記黒鉛ルツボが、半径方向の分割線に沿って分割された複数の分割部材と該分割部材の半径方向外方への変位を規制する変位規制部材とを備えていることを特徴とする単結晶引上装置用黒鉛ルツボ。
IPC (2件)：
C30B 15/12
, C30B 29/06 502
C30B 15/12
, C30B 29/06 502 B
4G077AA02
, 4G077EG02
, 4G077EG18
, 4G077PD12
