特許

J-GLOBAL ID：200903096073226395

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐竹 秀喜 ,  鳥海 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012609
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 ゲート酸化膜の電気的な信頼性を高めることができ、素子信頼性の向上及び製造コストの低減をはかる。【解決手段】 p型シリコン基板11の表面にゲート酸化膜13を介してゲート電極14を形成し、さらにゲート電極14の両側にソース・ドレイン拡散層16を形成してnチャネルMOSトランジスタを作成するMOSトランジスタの製造方法において、ゲート酸化膜13の形成に際し、重水(D2 O)を含むガスを原料として熱酸化した。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面或いは半導体層の表面に、膜厚方向及び表面方向の全領域に重水素(D)原子を含む酸化膜を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイスと、同デバイスの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-526145   出願人：ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイ