特許

J-GLOBAL ID：200903096075442389

窒化物セラミックス回路基板の製造方法。

発明者： 福田 誠
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151543
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324301
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】絶縁性が良好で、且つ生産性に優れた窒化物セラミックス回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物セラミックス基板にレーザーでスクライブルラインを入れ基板を分割し回路基板を製造する方法において、窒化物セラミックス基板に不連続なレーザー孔より構成されるスクライブルラインを入れた後、活性金属ろう付け法にて金属板と接合し、エッチング法にて回路を形成することを特徴とする窒化物セラミックス回路基板の製造方法であり、エッチングによって回路を形成した後、金属板除去部分に残存するろう材、その合金層、窒化物層等を除去することを特徴とする窒化物セラミックス回路基板の製造方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化物セラミックス基板にレーザーでスクライブルラインを入れ基板を分割し回路基板を製造する方法において、窒化物セラミックス基板に不連続なレーザー孔より構成されるスクライブルラインを入れた後、活性金属ろう付け法にて金属板と接合し、エッチング法にて回路を形成することを特徴とする窒化物セラミックス回路基板の製造方法。

IPC (6件)：

H05K 3/00 ,  H05K 1/03 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/06 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/00

FI (6件)：

H05K3/00 N ,  H05K1/03 610D ,  H05K1/02 G ,  H05K3/06 A ,  B23K26/38 330 ,  B23K26/00 D

Fターム (12件)：

4E068AD00 ,  4E068AE01 ,  4E068DA14 ,  4E068DB12 ,  5E338AA18 ,  5E338BB31 ,  5E338EE11 ,  5E338EE60 ,  5E339AB06 ,  5E339BC01 ,  5E339BD06 ,  5E339BE11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-233561号公報
  
• セラミックス配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-188845   出願人：同和鉱業株式会社

審査官引用 (3件)

• 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-371543   出願人：株式会社東芝
• 接合体及びそれを用いた回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210707   出願人：電気化学工業株式会社
• セラミック基板の穿孔方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-222437   出願人：京セラ株式会社