特許
J-GLOBAL ID：200903096086583197

半導体装置の製造方法

発明者：
渡部 厚史

渡部 厚史 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162965
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の層間絶縁膜の平坦化方法に関する。疎水性のCVD膜上にSOGを塗布した際、上層配線形成のストレスによりCVD膜との界面でSOGが剥がれてしまうため、密着性を向上させる必要があった。【解決手段】 ステージ6上に置かれた基板1の上部に低圧水銀ランプ7を平行に並べて、大気中で254nmの波長の紫外線を照射するとオゾンが発生する。このようにCVD膜形成後、表面をオゾン処理することによりSOGとの密着性を向上させた。【効果】上層配線のストレスによりSOGが剥がれることなく多層配線の加工が可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配線パターンを形成する工程、配線パターンが形成された半導体基板上にCVD法により第1のシリコン酸化膜を形成する工程、前記第1のシリコン酸化膜表面をオゾン処理する工程、前記第1のシリコン酸化膜上にSOG(Spin On Glass)を回転塗布する工程、を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/31 C
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-140926
  • SOG塗布装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023460   出願人：株式会社日立製作所
  • 処理方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-307132   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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