特許
J-GLOBAL ID：200903096103566790
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-015453
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177028
出願日： 2008年01月25日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】高耐圧を得ることのできる窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードを含む半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、n+型半導体基板1と、n+型半導体基板1の上面上に設けられたn-型ドリフト領域2と、n-型ドリフト領域2の上面上に設けられ、n-型ドリフト領域2とショットキー接合Aを形成するアノード電極3と、n+型半導体基板1に電気的に接続されたカソード電極4とを備える。半導体装置は、n-型ドリフト領域2の表面に選択的に設けられたトレンチ5を備え、トレンチ5は、アノード電極3により埋め込まれている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
相互に対向する上面及び下面を有する第1導電型の窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の上面上に設けられた第1導電型の第1の窒化物半導体領域と、
前記第1の窒化物半導体領域の上面上に設けられ、前記第1の窒化物半導体領域とショットキー接合を形成する第1の主電極と、
前記窒化物半導体基板に電気的に接続された第2の主電極と、
前記第1の窒化物半導体領域の表面に選択的に設けられたトレンチと
を備え、
前記トレンチは、前記第1の主電極により埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB14
, 4M104CC03
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104FF27
, 4M104FF31
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104FF37
, 4M104GG03
, 4M104HH18
