埋込材およびこの埋込材を用いた半導体集積回路の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮田金雄 , 高瀬彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033316
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165595
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】埋込材で埋めたビアホールを、プラズマエッチングにより前記ビアホールより幅が広い凹部を形成しても、ビアホールの開口部の周囲にデポジションを発生させず、信頼性の高い半導体集積回路を実現できる埋込材を得ること。【解決手段】埋込材に、繰り返し単位が下記の式(1)で表される重合体を用いる。【化1】(式中、R1は水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはメチル基、R2は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基または水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子のうちの少なくとも一つの原子で置換された炭素数1〜4のアルキル基、Xは-C(=O)O-基または-S(=O)2O-基である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

絶縁膜のビアホール部にプラズマエッチングにより前記ビアホールより幅が広い凹部を形成する時に、前もって前記ビアホールを埋める埋込材であって、繰り返し単位が下記の式(1)で表される重合体からなる埋込材。

IPC (4件)：

H01L21/768 , C08F20/22 , C08L33/04 , C08L63/00

FI (4件)：

H01L21/90 A , C08F20/22 , C08L33/04 , C08L63/00 A

Fターム (55件)：

4J002BG04W , 4J002BG08W , 4J002CD00X , 4J002GQ00 , 4J100AL08P , 4J100AL24P , 4J100AL26P , 4J100AL62Q , 4J100AL63Q , 4J100BB18P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100JA43 , 4J100JA44 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ01 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033QQ96 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033WW00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX09 , 5F033XX10

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体集積回路の製造方法、半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-009221 出願人：日本電気株式会社
デュアルダマシン半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-144135 出願人：シャープ株式会社

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