特許

J-GLOBAL ID：200903096123996375

薄膜半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリックス基板及びその製造方法

発明者： 平岩 卓
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151425
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345974
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 積層体の側壁部に生じる凹凸部を平坦化することのできる薄膜半導体装置およびアクティブマトリックス基板並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 異なる複数の材料によって構成されてなる積層体が基板上に形成されてなる薄膜半導体装置であって、該積層体の側壁部にペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の焼成物が形成されてなる。

請求項（抜粋）：

異なる複数の材料によって構成されてなる積層体が基板上に形成されてなる薄膜半導体装置であって、該積層体の側壁部にペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の焼成物が形成されてなることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/16 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 617 L ,  C01B 33/12 Z ,  C09D183/16 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/12 A ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 617 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-221853
  
• 特開昭59-047769
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-350399   出願人：日本電気株式会社, 日電アネルバ株式会社