特許
J-GLOBAL ID：200903096133434537

エッチング方法

発明者：
足立 憲治

足立 憲治 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-348108
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229418
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 デバイスプロセスの分野ではSiO2膜の薄膜化が進んでいるため、SiO2膜上のSiN膜をエッチングする際のSiO2膜に対するSiN膜の選択比を高くする必要がある。【解決手段】 本発明のエッチング方法は、平行平板型エッチング装置1の処理室2内でエッチングガスのプラズマを発生させ、その内部に配置されたウエハWに形成されたシリコン酸化膜を被うシリコン窒化膜をエッチングする方法において、上記エッチングガスとしてCH3FガスとO2ガスの混合ガスを用い、上記混合ガスのCH3Fガスに対するO2ガスの混合比(O2/CH3F)を4〜9に設定する。
請求項（抜粋）：
処理室内でエッチングガスのプラズマを発生させ、その内部に配置された被処理体に形成されたシリコン酸化膜を被うシリコン窒化膜をエッチングする方法において、上記エッチングガスとしてCH3FガスとO2ガスの混合ガスを用い、上記混合ガスのCH3Fガスに対するO2ガスの混合比(O2/CH3F)を4〜9に設定することを特徴とするエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/302 301 S
Fターム (10件)：
5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭60-115232
  • エッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-312183   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (2件)
  • 特開昭60-115232
  • エッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-312183   出願人：日本電気株式会社

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