特許
J-GLOBAL ID：200903007949476367
エッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312183
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145113
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 シリコン酸化膜に対しシリコン窒化膜を高い選択比でエッチングするエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置36は、チャンバ37と、チャンバ内に互いに対向して設けられた上部電極38A及び下部電極38Bと、上部電極38A及び下部電極38Bとにそれぞれ接続された第1及び第2のRF電源42A、Bとを備えた装置である。シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が被エッチング面に露出している基板43を下部電極38Bの上面に保持し、基板表面の電力密度が0.20〜0.35W/cm2の範囲内で、かつ、上部電極38Aの表面の電力密度が1.13W/cm2以上であるように第1及び第2のRF電源42A、Bの供給する高周波電力を調整し、塩素ガス雰囲気内でエッチングする。これにより、シリコン酸化膜に対しシリコン窒化膜を高い選択比、例えば10以上でエッチングすることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を積層して備える基板の前記シリコン窒化膜を選択的にエッチングする方法において、周波数が相互に異なる第1及び第2の高周波電源を重畳して印加することを特徴とするエッチング方法。
引用特許：
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