薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-081160
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013433
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】電極材料にかかるコストが低く、かつ充分なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。特に、有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタを提供することを課題とする。【解決手段】少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、該ソース電極および該ドレイン電極が、それぞれ少なくとも半導体層と接する接触部とそれ以外の非接触部からなり、該接触部と該非接触部の電極材料が異なることを特徴とする薄膜トランジスタとするものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、該ソース電極および該ドレイン電極が、それぞれ少なくとも半導体層と接する接触部とそれ以外の非接触部からなり、該接触部と該非接触部の電極材料が異なることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K , H01L29/78 616U , H01L29/28

Fターム (24件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-341347 出願人：株式会社日立製作所

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