特許

J-GLOBAL ID：200903096172760794

半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置

発明者： 福永 寿也 ,  黒木 勝利
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204067
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022239
出願日： 1996年06月29日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【目的】 ワイヤーソーにより切断された半導体ウェハを効率よく、しかも自動工程で洗浄でき、ほぼ完全に砥粒を除去できる半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置を提供する。【解決手段】 半導体インゴットをワイヤーソーにより切断する。切断された半導体ウェハを脱脂洗浄する。脱脂洗浄された半導体ウェハを油水分離洗浄する。油水分離洗浄された半導体ウェハを濯ぐ。濯ぎ洗浄された半導体ウェハの表面からアルカリ洗浄により砥粒を除去する。砥粒除去洗浄された半導体ウェハをスライス台から剥離させる。

請求項（抜粋）：

次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。(1)半導体インゴットをワイヤーソーにより切断する切断工程。(2)切断された半導体ウェハを脱脂洗浄する脱脂洗浄工程。(3)脱脂洗浄された半導体ウェハを油水分離洗浄する油水分離洗浄工程。(4)油水分離洗浄された半導体ウェハを濯ぐ濯ぎ洗浄工程。(5)濯ぎ洗浄された半導体ウェハの表面からアルカリ洗浄により砥粒を除去する砥粒除去洗浄工程。(6)砥粒除去洗浄された半導体ウェハをスライス台から剥離させる剥離洗浄工程。

IPC (3件)：

H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 341 ,  B28D 5/04

FI (3件)：

H01L 21/304 311 A ,  H01L 21/304 341 M ,  B28D 5/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317441   出願人：京セラ株式会社
• 乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-222153   出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社