特許
J-GLOBAL ID：200903096214783986

成膜方法

発明者：
石坂 忠大

石坂 忠大 について

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五味 淳

五味 淳 について

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波多野 達夫

波多野 達夫 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226953
公開番号（公開出願番号）：特開2006-045604
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 金属と窒素と炭素を含む第1の処理ガスと、当該第1の処理ガスを還元する第2の処理ガスを交互に供給して薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜に含まれる、前記金属、窒素、および炭素のうち、少なくともいずれか一つの含有率の制御することを可能とすること。【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器に、金属と窒素と炭素を含む第1の処理ガスと、当該第1の処理ガスを還元する第2の処理ガスを供給し、前記被処理基板上に薄膜を形成する成膜方法であって、前記処理容器に前記第1の処理ガスを供給する第1の工程と、前記処理容器に前記第2の処理ガスを供給し、前記処理容器に設けられたプラズマ励起手段によって当該第2の処理ガスをプラズマ励起する第2の工程と、を有し、前記プラズマ励起手段に印加される高周波電力を変更することにより、前記薄膜に含まれる、前記金属、窒素、および炭素のうち、少なくともいずれか一つの含有率を制御することを可能としたことを特徴とする成膜方法。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器に、金属と窒素と炭素を含む第1の処理ガスと、当該第1の処理ガスを還元する第2の処理ガスを供給し、前記被処理基板上に薄膜を形成する成膜方法であって、 前記処理容器に前記第1の処理ガスを供給する第1の工程と、 前記処理容器に前記第2の処理ガスを供給し、前記処理容器に設けられたプラズマ励起手段によって当該第2の処理ガスをプラズマ励起する第2の工程と、を有し、 前記プラズマ励起手段に印加される高周波電力を変更することにより、前記薄膜に含まれる、前記金属、窒素、および炭素のうち、少なくともいずれか一つの含有率を制御することを可能としたことを特徴とする成膜方法。
IPC (5件)：
C23C 16/36 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (4件)：
C23C16/36 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 R
Fターム (37件)：
4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB39 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH05 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • USP 5916365号公報
  • USP 5306666号公報
  • USP 6416822号公報
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審査官引用 (3件)

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