特許

J-GLOBAL ID：200903096217040488

窒化ガリウム半導体素子

発明者： チンガン チュ ,  ブライアン エス.シェルトン ,  マレック ケー.パビス ,  マーク ゴットフリード ,  リンリン リュ ,  ミラン ポフリスティック ,  マイケル マーフィー ,  リチャード エー.ストール
出願人/特許権者： ヴェロックス セミコンダクター コーポレーション
代理人 (8件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-001122
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191118
出願日： 2006年01月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。【解決手段】1〜6μmの厚さを有するn+型ドープしたGaNダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。1μmを超える厚さを有するn-型ドープしたGaNダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記n+型ドープGaNダイオード上に配設し、金属層をn-型ドープGaN層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が500Vを超え、電流容量が1アンペアを超え、かつ順方向電圧が3V未満である素子を得るように最適化される。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムベースの半導体ダイオードであって、 基板と、 前記基板の上に配設された1〜6μmの厚さを有するn+型ドープGaN層と、 前記n+型ドープGaN層上に配設された1μmを超える厚さを有するn-型ドープGaN層と、 前記n-型ドープGaN層の上に配設され、かつそれとのショットキー接合を形成する金属層とを含んだ窒化ガリウムベースの半導体ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (2件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/48 M

Fターム (18件)：

4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104CC03 ,  4M104EE01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF36 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許出願PACKAGE FOR GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
  
• 米国特許出願第2003/0062525号
  
• 米国特許第34861号
  
• 米国特許第4946547号
  
• 米国特許第5200022号
  
• 米国特許出願第10/935000号
  

審査官引用 (1件)

• GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-013740   出願人：古河電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High-voltage mesa-structure GaN Schottky rectifiers processed by dry and wet etching