特許
J-GLOBAL ID：200903070941663480

GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 長門 侃二 ,  山中 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013740
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031896
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】耐圧が高く且つオン電圧の低いGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】GaN系ショットキーダイオード(10)のサファイア基板(12)上にはGaNバッファ層(14)とn+ 型GaN層(16)と表面の一部が凸部形状をなすn型GaN層(18)とが形成されている。凸部(18b)の上面にTi電極(26)がショットキー接合し、凸部側面にAl0.2Ga0.8N層(22)を介してPt電極(28)がショットキー接合し、n+ 型GaN層上にTaSi層からなるカソード電極(34)がオーミック接合している。Ti電極とPt電極は複合アノード電極(30)を構成し、ショットキーダイオードの耐圧向上とオン電圧低減に寄与する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の幅を有するIII-V族窒化物半導体層と、 前記III-V族窒化物半導体層上に前記所定の幅よりも狭い幅でショットキー接合する第1アノード電極と、 前記第1アノード電極に接触する部分以外の前記III-V族窒化物半導体層上にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極に電気的に接続する第2アノード電極とを備え、 前記第1アノード電極と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さが前記第2アノード電極と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さよりも低い ことを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872
FI (3件)：
H01L29/48 D ,  H01L29/80 U ,  H01L29/80 H
Fターム (25件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD68 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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