特許
J-GLOBAL ID：200903070941663480
GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長門 侃二
, 山中 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013740
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031896
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】耐圧が高く且つオン電圧の低いGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】GaN系ショットキーダイオード(10)のサファイア基板(12)上にはGaNバッファ層(14)とn+ 型GaN層(16)と表面の一部が凸部形状をなすn型GaN層(18)とが形成されている。凸部(18b)の上面にTi電極(26)がショットキー接合し、凸部側面にAl0.2Ga0.8N層(22)を介してPt電極(28)がショットキー接合し、n+ 型GaN層上にTaSi層からなるカソード電極(34)がオーミック接合している。Ti電極とPt電極は複合アノード電極(30)を構成し、ショットキーダイオードの耐圧向上とオン電圧低減に寄与する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の幅を有するIII-V族窒化物半導体層と、
前記III-V族窒化物半導体層上に前記所定の幅よりも狭い幅でショットキー接合する第1アノード電極と、
前記第1アノード電極に接触する部分以外の前記III-V族窒化物半導体層上にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極に電気的に接続する第2アノード電極とを備え、
前記第1アノード電極と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さが前記第2アノード電極と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さよりも低い
ことを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/47
, H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
, H01L29/872
H01L29/48 D
, H01L29/80 U
, H01L29/80 H
4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC03
, 4M104DD68
, 4M104GG03
, 4M104GG12
, 5F102FA01
, 5F102GB04
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GT03
, 5F102HC01
, 5F102HC15
