特許

J-GLOBAL ID：200903096222064557

半導体装置の製造方法

発明者： 大西 秀明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316089
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135506
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】組み立て工程でのボンディング性の良い半導体装置を、段差被覆性と平坦性に優れる溝配線法(ダマシン法)による銅配線を用いて形成する半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】配線金属として銅配線を用いた半導体装置において、銅配線を溝配線法(ダマシン法)によって形成し、半導体装置の絶縁保護膜を被着しボンディングパッド部を開口した後、Al系膜を被着しリソグラフィー工程とエッチング工程によりボンディングパッド部にAl系膜を残す。

請求項（抜粋）：

配線金属として銅配線を用いた半導体装置の製造方法において、(a)銅配線を溝配線法(ダマシン法)によって形成し、(b)絶縁保護膜を被着し、ボンディングパッド部を開口し、(c)Al系膜を被着し、リソグラフィー工程とエッチング工程により前記ボンディングパッド部にAl系膜を残す、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 配線接続部及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-211311   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271107   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-188136   出願人：日本電信電話株式会社