保護回路およびそれを用いた半導体装置ならびに発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-156594
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332482
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】共振を抑えた電圧クランプを可能とする保護回路およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】保護対象となる回路110と、インダクタンス成分を含む線路W1、W2を介して接続される保護回路100において、第1トランジスタQ1は、本保護回路100と線路W1との接続点34から接地へ至る経路上に設けられる。第2トランジスタQ2は、保護対象となる回路110と線路W2との接続点から接地へ至る経路上に設けられ、第1トランジスタQ1に流れる電流に応じた電流を接続点36から引き抜く。第1、第2トランジスタQ1、Q2は、ベース、エミッタが共通に接続されたNPN型バイポーラトランジスタである。抵抗R3は第1トランジスタQ1のベースエミッタ間に接続され、ダイオードD1はベースコレクタ間に接続される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

保護対象となる回路と、有意なインダクタンス成分を含む線路を介して接続される保護回路であって、本保護回路と前記線路との接続点から接地へ至る経路上に設けられた第1トランジスタと、前記保護対象となる回路と前記線路との接続点から接地へ至る経路上に設けられ、前記第1トランジスタに流れる電流に応じた電流を前記接続点から引き抜く第2トランジスタと、を備えることを特徴とする保護回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L27/04 H , H01L33/00 J

Fターム (13件)：

5F038BH02 , 5F038BH03 , 5F038BH06 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038DF01 , 5F038EZ08 , 5F038EZ20 , 5F041BB13 , 5F041BB23 , 5F041BB24 , 5F041BB25 , 5F041BB26

引用特許：

出願人引用 (1件)

ICの静電破壊保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-291364 出願人：ローム株式会社

審査官引用 (1件)

特開昭60-183939

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