特許
J-GLOBAL ID：200903096264903109
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 詔男
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200670
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302293
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 SRAM仕様で動作し、リフレッシュの影響で通常のアクセスが遅延せず、メモリサイクルを従来よりも短縮可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 ATD回路4はアドレスAddress の変化を受けて、アドレススキュー期間経過後にアドレス変化検出信号ATDにワンショットパルスを発生させる。書き込み要求の場合は、アドレススキュー期間内に書き込みイネーブル信号/WEを立ち下げる。まず、ワンショットパルスの立ち上がりから書き込み又は読み出しを行い、書き込みの場合には直前の書き込み要求時に与えられたアドレス及びデータを用いたレイトライトを行う。次に、ワンショットパルスの立ち下がりから後続のメモリサイクルのアドレススキュー期間終了までにリフレッシュを行う。そして、次の書き込み要求時におけるレイトライトのために、書き込みイネーブル信号/WEの立ち上がりでアドレスとデータをレジスタ回路3,12に取り込む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リフレッシュを必要とするメモリセルで構成されたメモリセルアレイを有し、アクセスアドレスに対して書き込み要求及び書き込みデータが非同期的に与えられる半導体記憶装置において、
前記アクセスアドレスに対する読み出し又は前記書き込みデータの書き込みを前記メモリセルアレイへ行った後に、前記メモリセルアレイのリフレッシュを行うアクセス手段と、
チップが非選択状態から選択状態に移行したか、又は、前記アクセスアドレスが変化したことを検出するアドレス変化検出手段と、
該検出の時点を基準として、前記選択・非選択状態を制御するチップ選択信号又は前記アクセスアドレスの少なくとも一方に含まれるスキューの最大値以上に設定したスキュー期間が経過した後に、前記読み出し又は前記書き込みを開始させる制御手段と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C11/34 363A
, G11C11/34 371J
5M024AA01
, 5M024AA40
, 5M024AA50
, 5M024BB22
, 5M024BB39
, 5M024DD80
, 5M024EE12
, 5M024FF04
, 5M024FF07
, 5M024KK22
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP03
, 5M024PP07
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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