特許
J-GLOBAL ID:200903096274846278

積層変位素子とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 窪田 法明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-037540
公開番号(公開出願番号):特開2001-230147
出願日: 2000年02月16日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 従来の積層変位素子では、セラミック層の材料としてPbを多く含む化合物が使われているので、製造現場における労働環境を悪化させたり、積層変位素子を有する電子機器を廃棄したときに自然環境をPbで汚染する虞があるという問題があった。【解決手段】 この発明に係る積層変位素子は、複数のセラミック層と複数の内部電極とを積層してなり、該セラミック層はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粒子からなる。ここで、前記セラミック粒子は平均粒径3.5μm以上のものが好ましく、また、セラミック層一層中に一のセラミック粒子で形成されている部分の割合が二次元的に断面で観察したときに10%以上が好ましい。
請求項(抜粋):
複数のセラミック層と複数の内部電極とを積層してなり、該セラミック層はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粒子からなることを特徴とする積層変位素子。
IPC (5件):
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  C04B 35/46 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/187
FI (5件):
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  C04B 35/46 D ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/18 101 B
Fターム (16件):
4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA39 ,  4G031BA10 ,  4G031CA03 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA07 ,  4G031GA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03
引用特許:
審査官引用 (2件)

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