微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025118
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220006
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】パーティクル検査装置のもつ装置座標とパーティクル検査装置でないSEMなどの他の分析装置のもつ装置座標とを従来の装置座標のリンク方法を採用した装置よりはるかに高精度でリンクすることができる方法を採用することにより、微小異物の観察、分析および評価をすることができるようにする。【構成】パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置に入力して、該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装置で採用する装置座標とを前記試料の形状に基づく同じ座標系を用いてリンクすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置に入力して、該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装置で採用する装置座標とを前記試料の形状に基づく同じ座標系を用いてリンクすることを特徴とする微小異物の分析方法。

IPC (3件)：

G01N 21/88 , G01B 11/30 102 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/88 E , G01B 11/30 102 , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

異物検査装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-110190 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立画像情報システム
液晶基板の異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-171133 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
試料処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-309065 出願人：株式会社日立製作所

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