微細レジストホールパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿形明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353509
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156764
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】ハーフトーン位相シフトマスクを用いたリソグラフィ法によりレジストホールパターンを形成する際に、ハーフトーン位相シフトマスクを用いたときに生じるディンプルを抑制することができ、しかもサーマルフロープロセスを適用する際の単位温度当りのレジストパターンサイズの変化量をコントロールしうる方法を提供する。【解決手段】 (イ)(A)酸によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)加熱により樹脂成分(A)と反応して架橋を形成する少なくとも2個のビニルエーテル基を有する化合物及び(D)有機アミンからなるポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成させ、(ロ)上記レジスト膜にハーフトーン位相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像して得たレジストパターンを加熱し、レジストパターンサイズを縮小させる。

請求項（抜粋）：

ハーフトーン位相シフトマスクを用いたリソグラフィ法によりレジストホールパターンを形成するに当り、(イ)(A)酸によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)加熱により樹脂成分(A)と反応して架橋を形成する少なくとも2個のビニルエーテル基を有する化合物及び(D)有機アミンからなるポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成させること、及び(ロ)上記レジスト膜にハーフトーン位相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像して得たレジストパターンを加熱し、レジストパターンサイズを縮小させることを特徴とする微細レジストホールパターン形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 574

Fターム (34件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BC23 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CB45 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA09 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA05 , 2H096EA11 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H097CA13 , 2H097GB00 , 2H097JA02 , 2H097JA04 , 2H097LA10 , 2H097LA12 , 5F046AA28 , 5F046BA08 , 5F046CB17 , 5F046PA03 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-323332 出願人：信越化学工業株式会社

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