特許
J-GLOBAL ID：200903096304453071

半導体励起レーザモジュール

発明者：
坂口 茂樹

坂口 茂樹 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 花田 吉秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109864
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287726
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】、光ファイバ増幅器や光ファイバレーザに用いる半導体励起レーザモジュールにおいて、少ない部品点数で簡便な組み立て手順により高い歩留まりで高い結合効率を有するレーザ光と光ファイバの光結合を実現する製造方法がなかった。【解決手段】光ファイバ増幅器や光ファイバレーザに用いる半導体励起レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子を搭載する基板と、先端がレンズ加工された光ファイバの先端部を固定保持する基板とからなり、該レーザ素子搭載基板におけるレーザ光出射面側の端面と、該光ファイバ保持基板におけるレンズ加工部側端面との端面接合により両基板を接合固定させることによりレーザ光と光ファイバとの光結合部を構成してなることを特徴とする半導体励起レーザモジュール。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光ファイバ増幅器や光ファイバレーザに用いる半導体励起レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子を搭載する基板と、先端がレンズ加工された光ファイバの先端部を固定保持する基板とからなり、該レーザ素子搭載基板におけるレーザ光出射面側の端面と、該光ファイバ保持基板におけるレンズ加工部側端面との端面接合により両基板を接合固定させることによりレーザ光と光ファイバとの光結合部を構成してなることを特徴とする半導体励起レーザモジュール。
IPC (2件)：
H01S 5/022 ,  G02B 6/42
FI (2件)：
H01S5/022 ,  G02B6/42
Fターム (22件)：
2H137AA14 ,  2H137AB06 ,  2H137AC01 ,  2H137BA03 ,  2H137BA21 ,  2H137BA22 ,  2H137BB02 ,  2H137CA12A ,  2H137CA34 ,  2H137CC06 ,  2H137DA32 ,  2H137HA11 ,  2H137HA13 ,  5F173MA04 ,  5F173MC02 ,  5F173MC23 ,  5F173MD04 ,  5F173ME24 ,  5F173ME66 ,  5F173ME75 ,  5F173ME83 ,  5F173ME87
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 国際公開第01/01527パンフレット
  • 半導体レーザモジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-155863   出願人：古河電気工業株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM