特許
J-GLOBAL ID:200903037244242525

半導体レーザモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-155863
公開番号(公開出願番号):特開2002-333554
出願日: 2001年05月24日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 使用環境温度変化によらずレーザダイオードと光ファイバとの光結合効率が良好な半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】 パッケージ27の底板26上に直接的に又はサーモモジュール25を介してベース2を搭載する。そのベース2の上にレーザダイオード1と、レーザダイオード1から出射するレーザ光を受光伝送用の光ファイバ4に導くレンズ部14を搭載する。レンズ部14は、固定部材6,7によりスリーブ3や、レンズホルダ24を介して支持する。ベース2は、レーザダイオード1を搭載するレーザダイオード搭載部材8と、固定部材6,7を搭載する固定部材搭載部材5とにより形成する。ベース2の固定部材搭載部材5には少なくともレーザダイオード1とレンズ部14との光結合領域の両サイドには撓み防止手段の壁部15を光ビームの長手方向に延設する。
請求項(抜粋):
レーザダイオードと、該レーザダイオードから出射される光をレンズ部を介して受光して伝送する光ファイバと、前記レンズ部を支持する固定部材と、該固定部材と前記レーザダイオードを直接又は間接に搭載するベースと、前記レーザダイオード、前記レンズ部、前記固定部材、前記ベースを収容するパッケージとを有し、該パッケージの底板に前記ベースが直接的に又はサーモモジュールを介して搭載されている半導体レーザモジュールであって、前記ベースには少なくとも前記レーザダイオードと前記レンズ部との光結合部分の両側に撓み防止手段が形成されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (3件):
G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/024
FI (3件):
G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/024
Fターム (20件):
2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037CA08 ,  2H037CA21 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  2H037DA06 ,  2H037DA11 ,  2H037DA16 ,  2H037DA37 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073BA01 ,  5F073EA15 ,  5F073FA02 ,  5F073FA15 ,  5F073FA25 ,  5F073FA30
引用特許:
審査官引用 (8件)
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