特許
J-GLOBAL ID:200903096309948800
偏光素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-015587
公開番号(公開出願番号):特開2009-175553
出願日: 2008年01月25日
公開日(公表日): 2009年08月06日
要約:
【課題】大面積を有しかつ消光比が十分な偏光素子を安価に提供する。【解決手段】 光透過性を有する誘電体基体表面の少なくとも一部に、平面視が実質的に長方形状なした凹部を設けることにより、平面視が市松模様状に配列された凹凸部を形成し、前記凹部底面と凸部上面とに金属層もしくは半導体層を設けた。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光透過性を有する誘電体基体表面の少なくとも一部に、平面視が実質的に長方形状なした凹部を設けることにより、平面視が市松模様状に配列された凹凸部を形成し、前記凹部底面と凸部上面とに金属層もしくは半導体層を設けたことを特徴とする偏光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
G02B5/30
, G02F1/1335 510
Fターム (15件):
2H049BA02
, 2H049BA45
, 2H049BB22
, 2H049BC08
, 2H049BC09
, 2H049BC22
, 2H049BC25
, 2H091FA07X
, 2H091FA07Z
, 2H091FC26
, 2H091LA30
, 2H191FA21X
, 2H191FA21Z
, 2H191FC36
, 2H191LA40
引用特許:
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