特許
J-GLOBAL ID：200903096311222018

半導体装置及びその製造方法

発明者：
八木下 淳史

八木下 淳史 について

, 
松尾 浩司

松尾 浩司 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174567
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094058
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】ゲート絶縁膜に高誘電体膜を用いたFETにおいて、短チャネル効果の抑制をする。【解決手段】半導体シリコン基板101の素子領域の周囲に素子分離絶縁膜102が形成されている。シリコン基板101上に、チャネル領域の周囲を覆うようにシリコン窒化膜からなる側壁絶縁膜107が形成されている。側壁が側壁絶縁膜107からなる溝の内部に、Ta2O5膜108,メタルゲート電極111である。素子分離絶縁膜102上に層間絶縁膜104が形成されている。側壁が側壁絶縁膜107及び層間絶縁膜からなる溝の底部のシリコン基板101上にシリサイドからなるショットキー接合・ソース/ドレイン115が形成されている。ショットキー接合・ソース/ドレイン115上にソース/ドレイン電極114が形成されている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、このシリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、このゲート電極を挟むように前記シリコン基板に形成され、該基板との界面でショットキー接合するシリサイドからなるソース及びドレインとを具備し、前記ゲート絶縁膜の材料は高誘電体膜であること、及び前記ゲート電極の材料は金属であることの少なくとも一方の条件を満たすことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/872
FI (12件)：
H01L 21/283 C ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/48 F ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 F
Fターム (140件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB22 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BC05 ,  5F048BC18 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA00 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL05 ,  5F110HL21 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA21 ,  5F140AB03 ,  5F140AC12 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK01 ,  5F140BK09 ,  5F140BK24 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (2件)

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