特許

J-GLOBAL ID：200903096325249318

表示装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-130911
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293879
出願日： 1996年04月27日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【目的】 高精細で高い信頼性を有する表示装置およびそれを実現するための技術を提供する。【構成】 周辺駆動回路一体型の表示装置において、アクティブマトリクス回路100内に配置される画素TFTにはLDD領域を配置しない構成とする。また、周辺駆動回路101、102を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース/ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが同一基板上に集積化された構成を有し、前記周辺駆動回路には本質的に異なる構造および/または異なる動作原理を有する少なくとも2種類の薄膜トランジスタが配置されており、前記2種類の薄膜トランジスタはどちらも前記アクティブマトリクス回路に配置された薄膜トランジスタと本質的に異なる構造を有することを特徴とする表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-186266   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体用電極の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354094   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-308627   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所