特許

J-GLOBAL ID：200903096338909953

縦形MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者： 原田 博文
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313770
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189456
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 縦形MOSトランジスタにおいて、高周波特性を向上させ低電圧動作を実現し、ばらつきの少ない安定した特性を得る。【解決手段】 トレンチゲート酸化後に傾斜イオン注入で側壁にボディを形成し、ゲート電極形成後に低濃度ソース領域を傾斜イオン注入で形成することにより、ゲート・ソース間容量とゲート・ドレイン間容量を抑える。上記ボディ領域形成方法を用いるとチャネル領域のドレイン・ソース間不純物分布も均一になる。また、チャネル長はエッチング装置で決まるので、トレンチエッチング及びゲート電極のエッチングは同一の装置を使うことで、安定したチャネル長を得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の高濃度層と、前記高濃度層の上に第1導電型で前記高濃度層よりも薄い濃度のエピタキシャル層とを有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面から前記第1導電型の高濃度層に向かって、前記第1導電型の高濃度層まで達しない深さで形成された凹部と、前記凹部内側の側面及び底面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に接し、前記凹部内に埋め込まれた多結晶シリコンからなるゲート電極と、前記凹部の外側であって前記凹部に接し前記半導体基板の表面に形成された第1導電型のソース領域と、前記凹部に接し前記高濃度ソース領域を囲むように形成し、前記凹部の底部と同じ深さまで形成された第2導電型のボディ領域と、前記半導体基板裏面の前記第1導電型の高濃度層に接続されたドレイン電極とを有することを特徴とする縦形MOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-502818   出願人：トーテムセミコンダクターリミテッド
• 特開昭55-133574