光電変換素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051474
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263727
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】光電変換素子の効率を高めるために、光入射側の透明電極の表面および裏面電極の表面を凹凸化する新しい方法を提供する。【構成】基板上に微粒子を含んだプラスチック膜を形成して表面を凹凸化し、その上に裏面電極、非晶質半導体層、透明電極を積層すれば、裏面電極および透明電極の表面に凹凸形状を形成できる。あるいは、基板上に裏面電極、非晶質半導体層、透明電極を積層したのち、透明微粒子を含んだ透明プラスチック膜を形成すれば、その表面の凹凸形状により反射率が低減する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に0.05〜10μmの範囲の粒径をもつ微粒子を含む耐熱性プラスチック膜を被着し、その上に裏面電極層、光電変換半導体層、透明電極層を順次積層することを特徴とする光電変換素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-196364
特開昭62-252976
特開平4-367281

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