特許

J-GLOBAL ID：200903096339976182

固体撮像装置の製造方法

発明者： 大橋 正典 ,  森 裕之 ,  丸山 康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326362
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165236
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】エッチングストッパ膜を用いて適正にコンタクトホールを形成でき、かつ、水素化促進によって暗電流を有効に抑制でき、画質の向上を図る。【解決手段】コンタクトエッチングのストッパ用にLP-SiN膜を数十nmの膜厚で形成する。その後、コンタクト領域以外のコンタクトエッチング時のストッパとして不要な部分をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによって除去する。次に、層間絶縁膜としてSiO2 膜を形成し、さらに、ゲート電極及び拡散層と配線とをタングステンプラグでコンタクトするためのコンタクトホールをフォトリソグラフィとドライエッチングによって形成する。その後、プラグ用のタングステン及びバリアメタルの埋め込み、配線メタルの形成、層間絶縁膜の形成を繰り返し、パッシベーション膜、カラーフィルタ、オンチップマイクロレンズ等を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に固体撮像装置を構成する各素子を形成する工程と、 前記半導体基板の上面にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜の上に第1の膜種よりなるエッチングストッパ用絶縁膜を形成する工程と、 前記ストッパ用絶縁膜の上に第2の膜種よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜にコンタクトホールをエッチングによって形成する工程と、 前記コンタクトホールにコンタクトプラグを形成する工程と、 前記半導体基板の水素化を行う工程とを有し、 前記エッチングストッパ用絶縁膜を形成した後に、エッチングストッパ領域以外の領域のエッチングストッパ用絶縁膜を除去する、 ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L31/10 A

Fターム (27件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX01 ,  5C024GY31 ,  5F049MA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA14 ,  5F049QA15 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ12 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13 ,  5F049WA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-323870
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-238747   出願人：富士通株式会社
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179212   出願人：株式会社日立製作所
• 固体撮像素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375013   出願人：ソニー株式会社