半導体不良解析システムおよびその方法並びに半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110065
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306395
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】量産におけるテストを妨げずに、所望の半導体装置のフェイルビットデータをすべて取得することを可能にして不良解析を行うことができるようにした半導体不良解析システムおよびその方法並びに半導体の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、半導体装置からフェイルビットデータを取得するテスタ手段と、該テスタ手段で取得したフェイルビットデータを受信して上記半導体装置のレイアウト順に並び替えるフィジカル変換を施し、このフィジカル変換が施されたフェイルビットデータを基にして上記半導体装置に対して設定された認識領域毎にビット不良が多発しているか否かを判定し、この判定されたビット不良が多発している認識領域の情報を基に半導体装置の不良解析を行う解析手段とを備えたことを特徴とする半導体不良解析システムおよびその方法である。

請求項（抜粋）：

半導体装置からフェイルビットデータを取得するテスタ手段と、該テスタ手段で取得したフェイルビットデータを受信して上記半導体装置のレイアウト順に並び替えるフィジカル変換を施し、このフィジカル変換が施されたフェイルビットデータを基にして上記半導体装置に対して設定された認識領域毎にビット不良が多発しているか否かを判定し、この判定されたビット不良が多発している認識領域の情報を基に半導体装置の不良解析を行う解析手段とを備えたことを特徴とする半導体不良解析システム。

IPC (4件)：

G11C 29/00 655 , G01R 31/28 , G06F 12/16 330 , H01L 21/66

FI (4件)：

G11C 29/00 655 Z , G06F 12/16 330 A , H01L 21/66 Z , G01R 31/28 B

Fターム (27件)：

2G032AA07 , 2G032AB20 , 2G032AE09 , 2G032AE10 , 2G032AE12 , 2G032AF01 , 4M106AA01 , 4M106BA01 , 4M106CA00 , 4M106CA41 , 4M106CA50 , 4M106DA15 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ27 , 4M106DJ38 , 5B018GA03 , 5B018GA05 , 5B018HA32 , 5B018KA01 , 5B018NA02 , 5B018QA13 , 5B018RA02 , 5B018RA03 , 5B018RA11 , 5L106DD25 , 5L106DD26

引用特許：

審査官引用 (1件)

ドットパターンの検出および評価装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-355984 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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